新材料前沿
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺 性能提高10%
2019-05-22 13:56:00
韩国《中央日报》发布消息称,三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺,并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题,三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。
三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工艺相比,EUV短波长,能够更加准确地画出精密半导体的电路。半导体的电路越设计越薄,芯片的尺寸变小,耗电量也同时减小,发热也降低,因此精密工艺尤为重要。
三星电子方面表示,此次开发的“5纳米工艺”通过最优化的单元储存设计,将比已有的7纳米减少25%的面积大小,同时电量使用率提高20%,性能提高10%。
地址：北京市朝阳区安贞里三区26楼 邮编：100029 电话：(010)64442120/(010)64442123 传真：(010)64411645 电子邮箱：csteelnews@126.com
中国冶金报/中国钢铁新闻网法律顾问：大成律师事务所 杨贵生律师 电话：010-58137252 13501065895 Email：guisheng.yang@dachenglaw.com
中国钢铁新闻网版权所有，未经书面授权禁止使用 京ICP备07016269 京公网安备11010502033228
